半导体设备行业人士援引台积电制定的High-NA EUV路线图指出，台积电A14制程（1.4nm）将于2026年上半年进行风险试产，最快2027年第三季度量产，量产初期仍主要采用ASML第三代标准型EUV设备NXE:3800E。

预计在2028年，A14制程的改良升级版A14P，将正式采用High-NA EUV，包括EXE:5000和EXE:5200。而在2030年后的A10制程中，将全面导入High-NA EUV。

2024年5月，台积电董事长魏哲家率领公司高管团队访问了位于荷兰的ASML总部。消息人士称，此次访问旨在更好地了解High-NA EUV系统，该系统每台售价3.8亿美元。消息人士称，台积电团队还会见了多家供应链公司，讨论维护和零部件供应事宜。

目前，台积电在晶圆代工市场占有压倒性优势，是ASML EUV设备的最大客户。消息人士称，台积电3nm芯片生产已经达到满负荷，其2nm工艺的订单也不断涌来，预计2024年第四季度将开始量产。消息人士补充称，台积电目前这波EUV订单预计将达到约70台设备。

消息人士称，台积电还与ASML就设备采购折扣达成一致，并确定了 未来五年工艺和技术进步的计划。

英特尔方面也在不断进行先进制程的推进，2024年4月，英特尔宣布其晶圆代工业务部门Intel Foundry在该公司位于俄勒冈州希尔斯伯勒的研发园区完成了业界首台高High-NA EUV光刻设备的组装。该设备将经过多次校准，然后于2027年投入批量生产，以支持英特尔14A工艺。