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jmcomic2.arc三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试

jmcomic2.arc三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试

2024-08-07 08:05:14 来源:jmcomic2.arc参与互动参与互动

  三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议,但很快就会签署;预计第四季度开始供应。

  12层版本的HBM3E存储芯片尚未通过英伟达的测试。

责任编辑:刘明 亮

【编辑:段希柏 】
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